160 天然优势,背靠祖国

160 天然优势,背靠祖国

DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的基础芯片。

三星第一块64KDRAM投放市场时是1984年,比日本人足足晚了40个月。

第一块256KDRAM投放市场时是1986年,比日本人晚了24个月。

第一块1MDRAM投放市场时是1986年,比日本人只晚了12个月。

1989年三星第一块4MDRAM与日本人几乎是同时投放市场的。

1992年,三星开始领先日本,推出全球第一个64MDRAM产品。

而同时期的日本半导体工业,从1985年开始日本经济进入泡沫化,全民炒房。

1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降低到只有2650亿日元,下降幅度达80%,这就给韩国人反超的机会。

这就是大家所熟悉的,韩国人在半导体领域的所谓的第一次“反周期投资”。

从1992-1999年,韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64MDRAM胜利果实的基础上,通过压强原则,扩大对日本人的竞争优势,完成了从追赶到超越的大逆袭过程。

1990年,16MDRAM,韩国人推出的时间滞后于日本人3个月。

1992年,64MDRAM,韩国人略微领先于日本人。

到1998年,韩国人全球第一个开发256MDRAM、128MSDRAM、128MFLASH。

到1999年,韩国人全球第一个开发1GDRAM。

在著名的《科技红利大时代》一书中,首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。

从科技红利思想的角度,庞煖们看看韩国人又是如何通过提高压强系数,实现对日本人的逆袭。

1992年韩国人64MDRAM略微领先于日本人和米国人成功研制后,韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

1993年反而通过压强原则,重点攻击,科技红利之有效研发投入同比增长70.19%,巩固对日本人的领先优势。

1995年韩国人再次快速提升压强系数,科技红利之有效研发投入再次大幅度提升,同比增速高达96.82%。

1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。

这才有了1998年128MSDRAM、128MFLASH、256MDRAM、1GDRAM的全球第一个推出市场,从而完美的实现大逆袭。

第三,产业链垂直一体化,加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。

上世纪90年代,韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目,鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。

韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安,设立两个工业园区,专门供给半导体设备厂商设厂。

为了获取先进技术,韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商,在韩国设立合资公司。

由此,韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。

第四,产业链横向扩张,从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

以三星为例,通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系,三星在DRAM之外,获得了大量芯片产业资源。

从米国SUN公司引进JAVA处理器技术。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

从英国ARM引进音视频处理芯片技术。

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

客观而言,产业链横向扩张对于天朝是很难复制的,因为西方列强根本不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

即使天朝诸多企业溢价用巨额资金购买也是诸多困难。

但坚持产业链的横向扩张,这是成为半导体强国的必经之路。

1992年三星全球第一个成功研制64MDRAM。64MDRAM,硅片直径为200-250mm,芯片面积为135mm2,集成度为140000000。

采用的主要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。

在集成度方面,韩国人是日本人的360%。

依靠64MDRAM,三星超越日本NEC,首次成为全球第一大DRAM内存制造商。

此后,韩国开始制霸之路,连续25年蝉联世界第一。

韩国成为全球半导体内存市场第四个霸主。

1996年,韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金,居世界第一。

日本NEC居第二。

韩国现代以21.26亿美金居第三位。

韩国LG以15.4亿美金居第九位。

不到十年时间,韩国人一举打垮日本人,牢牢占据了全球半导体内存市场。

至此,韩国人全面崛起于日韩半导体战争,成为全球半导体工业大国。

再次回顾韩国人崛起的历史过程。

1968-1980年,在米国人帮助下,韩国人完成追赶,初步建立了半导体工业体系。

半导体工业产值从不足2000万美元,增加到15亿美金以上。

半导体出口产值从300万美金,增加到11亿美金以上。

1980-1985年,韩国人在米国人扶持下,仅仅用5年时间快速完成并掌握16K、64K、256KDRAM的关键技术的研制,一举超越日本人过去三十年的所有努力。

5年时间,韩国半导体工业产值达41.87亿美金,期间增长176%。

韩国半导体出口产值达25.33亿美金,期间增长113%。

1986-1997年,第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争爆发。

米国人“扶韩抗日”,在米国人全力扶持下,特别是1985、1991年《美日半导体协议》的签署,到1994年韩国人在64M、256MDRAM完成对日本人的从追赶到领先。

这一时期,韩国半导体工业产值超过225亿美金,期间增长437%。

韩国半导体出口产值131亿美金,期间增长418%。

韩国人完成从半导体发展天朝家到全球半导体大国的转变。

1998-2010年的第三次DRAM世界大战-韩台半导体战争,韩国人完成了自身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”,最终实现了从半导体大国蜕变为半导体强国。

在这一时期,韩国人主要的成功经验有:

第一,挺进天朝大陆市场,构筑广阔的战略纵深。

如同日韩半导体战争中,米国人放开米国国内市场给韩国人一般。挺进天朝大陆市场,韩国人具有了广阔的战略纵深。

庞煖们以海力士为例:

陷入1997年东南亚金融危机的韩国海力士(Hynix),以3.8亿美金的价格,将TFT-LCD部门整体售给京东方,海力士就此专注于DRAM领域,并获得宝贵的资金和天朝市场。

2004年,海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂,项目总投资20亿美金。

其中,海力士和意法半导体出资10亿美金,主要是2亿美金的二手设备折价、5.5亿美金现金和2.5亿美金股东贷款。另外10亿美金由无锡市政府承担。

另外,在20亿美金总投资之外,无锡市政府还承担厂房建设,无锡市政府一共出资3亿美元建设两座占地54万平方米,面积32万平方米的晶圆厂房,租赁给韩国海力士及意法半导体使用。

2006年海力士90纳米技术生产的8英寸晶圆顺利下线,合格率超过95%。

工商银行江苏分行牵头,11家中资银行、9家外资银行组成贷款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金贷款。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备,依靠天朝资金、土地、工人和天朝市场,用区区3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

面对东南亚危机,依托天朝市场战略纵深,韩国人仅用2年时间就恢复了元气。

特别是海力士,2000年,DRAM整体月产量由第三季度的6500万颗,第四季度就快速扩增到8000万颗,增长了23.07%。

同时128M以上产品的生产比重由20%提高到36%。

128MDRAM:3个月内,月产量由650万颗提高到1400万颗,增长了115%。

256MDRAM:4个月内,月产量由40万颗提高到140万颗,增长了250%,生产比重由2.4%提高到6%。

2008年全球金融危机爆发后,一年时间内,全球DRAM产业累计亏损超过125亿美金,苔弯省DRAM产业更是全线崩盘。

南亚科,从2007年起连续亏损六年,累计亏损1608.6亿元新台币(49亿美金)。

华亚科技从2008年起连续亏损五年,累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。

这两家由台塑集团投资的DRAM厂,一共亏损2413.08亿元(73亿美金)。

其他苔弯DRAM企业亏损分别为,力晶亏损565亿元,茂德亏损360.9亿元。

苔弯五家DRAM厂几乎每天亏损1亿元,合计亏损1592亿元新台币(48亿美金)。

反观韩国人,依托天朝大陆市场的战略纵深,凭借无锡海力士的投产,海力士仅仅一年时间就恢复元气。

2009年第一季度,海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。

2009年第二季度,净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

2009年第三季度,海力士扭亏为盈。

2010年第一季度,海力士净利润暴涨到7.38亿美金。

2010年全年,海力士全球销售额达到12万亿韩元(107亿美金),净利润高达26.7亿美金。

金融危机中,依托天朝大陆市场,韩国人化“危”为“机”。

随后,海力士又向天朝商务部提出,增资15亿美金再建一座12寸晶圆厂(80纳米工艺)并迅速通过审批。

这就是韩国人所谓的“反周期投资”。

再比如,三星,依托天朝大陆市场纵深,在“韩日NANDFLASH战斗”中,彻底打垮老对手日本东芝。

2011年韩国三星与日本东芝在NANDFLASH领域展开全球竞争。

当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀,共有4座NANDFLASH12英寸晶圆厂,年产能450万片晶圆。

为了拉开与东芝的差距,三星决定新建NANDFLASH工厂。

经过谈判,三星最终选择落户天朝西安,项目总投资300亿美金,分三期建设。

西安市为此项目提供了巨额补贴,包括:

1、三星需要的130万平方米厂房,由西安市建设并免费提供1500亩土地。

2、2、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。

3、3、西安市财政对投资额进行30%的补贴。

4、4、西安市对所得税征收,前十年全免,后十年半额征收。同时西安市还承诺,将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施,总的补贴金额保守估计在300亿元以上。

庞煖们需要注意的是,2011年三星半导体全球销售金额也不过才285.63亿美金,300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NANDFLASH战斗”的意义之重大性,不言而喻。

当三星的西安项目落成之后,2016年东芝就过不下去了,2017年东芝不得不出售存储部门。

韩国人几乎是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NANDFLASH战斗”,这就是韩国人的“反周期投资”。

今日,还有多少人记得,NANDFALSH是日本人发明的呢?

早在1980年,日本东芝的藤尾增冈招聘4名工程师启动一个秘密的项目以研发下一代存储芯片,实现存储大量数据,并且让用户可以买得起。藤尾增冈声称:“庞煖们知道只要晶体管在尺寸上降下来,那么芯片的成本也将会下降。”很快推出了一款EEPROM的改良产品,记忆单元由1个晶体管组成。在当时,常规的EEPROM每个记忆单元需要2个晶体管,这个小小的不同对价格带来了巨大的影响,日本人将这个芯片称为FLASH,这个名字也是因为芯片的超快擦除能力,FLASH芯片基于NAND技术,这一技术可以提供更高容量的存储,并且更容易制造。1989年,东芝首款NANDFLASH上市。

对天朝大陆市场战略纵深,日本人又是如何态度?

嗯,从小泉纯一郎到现在的安倍,他们天天忙着来种花家闹事,比如钓鱼岛。

钓鱼岛主权自古以来就属于天朝人的!干你大爷的小日本!

天朝大陆市场这一广阔的战略纵深,在2008年全球金融危机,使得韩国人仅仅一年时间就恢复元气进而彻底打垮苔弯人,在全球半导体存储器的垄断地位一直延续至今。

全球半导体产业的竞争,已经不仅是科技的竞争,更是涵盖政治、经济等综合实力的国运之战。

具有一个广阔的战略市场纵深,意义是非凡的。

这就是庞煖做为一个天朝人做半导体产业的最大优势,天然的祖国优势,背靠着一个巨大无比的战略市场纵深。

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